买卖IC网 >> 产品目录 >> NE850R599A 射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE850R599A

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET
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制造商 CEL
技术类型 MESFET
频率 7.2 GHz
增益 9.5 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 150 mS
漏源电压 VDS 15 V
闸/源击穿电压 - 12 V
漏极连续电流 430 mA
最大工作温度 + 130 C
功率耗散 3 W
安装风格 Screw
封装 / 箱体 Outline99
相关资料
属性
链接
代理商 NE850R599A
NE851M03
NE851M03-A
NE851M03-T1
NE851M03-T1-A
NE851M13
供应商
公司名
电话
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-23941632 朱先生/李小姐
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104791 刘先生
深圳市荣泽信电子科技有限公司 18028731859 荣泽信－晏S
深圳市诚达吉电子有限公司 13480615819 莫小姐
深圳市讯顺达科技有限公司 0755-82727234 卓小姐/蔡小姐/庄小姐
深圳市深科创科技有限公司 0755-83247290 吴先生/吴小姐/朱先生
汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司 0754-84492320 陈先生
深圳市深美诺电子科技有限公司 82525918 李燕兵
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
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  • 价格分段 单价(美元) 总价
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